Два важных полупроводника n-типа, ZnO и SnO 2 , привлекают значительное внимание благодаря своим уникальным свойствам и потенциальным возможностям применения в качестве варисторов [1], газочуствительных пленок [2], анодного материала в литий-ионных батареях [3], фотокатализаторах и люминесцентных материалах [4], солнечных элементах [5]. Данные оксиды со стабильной и большой запрещенной зоной активно используются за счет невысокой стоимости, высокой чувствительности и стабильности электрофизических параметров. В литературе сообщается об образовании двух соединений в системе ZnO –SnO 2 , а именно ортостанната (Zn 2 SnO 4 ) и метастанната цинка (ZnSnO 3 ) [6]